Простий пошук
Розширений пошук
Алфавітні покажчики

Бази даних

Реферативна база даних - результати пошуку

Віртуальна довідка
Тематичний інтернет-навігатор
Наукова електронна бібліотека
Автореферати дисертацій
Реферативна база даних
Книжкові видання та компакт-диски
Журнали та продовжувані видання
Mozilla Firefox Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox"
Вид пошуку
Сортувати знайдені документи за:
авторомназвоюроком видання
Формат представлення знайдених документів:
повнийстислий
Пошуковий запит: (<.>A=Konoreva O$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 14
Представлено документи з 1 до 14
      
Категорія:    
1.

Konoreva O. V. 
Degradation-relaxation processes stimulated by structural defects in green gallium-phosphide light-emitting diodes = Деградаційно-релаксаційні процеси у зелених фосфідо-галієвих світлодіодах, зумовлені дефектами структури / O. V. Konoreva, P. G. Litovchenko, V. Ya. Opylat, M. B. Pinkovska, V. P. Tartachnyk // Укр. фіз. журн. - 2006. - 51, № 11-12. - С. 1119-1124. - Библиогр.: 13 назв. - англ.


Індекс рубрикатора НБУВ: З852.27

Рубрики:
 Світлові діоди 

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
2.

Konoreva O. 
Features of current-voltage characteristics inherent to GaP light-emitting diodes with quantum wells / O. Konoreva, V. Opilat, M. Pinkovska, V. Tartachnyk // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2006. - 9, № 4. - С. 45-48. - Бібліогр.: 14 назв. - англ.


Індекс рубрикатора НБУВ: З852.2

Рубрики:
 Напівпровідникові діоди 

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
3.

Litovchenko P. 
Peculiarities of neutron irradiation influence on GaP light-emitting structures / P. Litovchenko, A. Litovchenko, O. Konoreva, V. Opilat, M. Pinkovska, V. Tartachnyk // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2009. - 12, № 3. - С. 276-279. - Бібліогр.: 8 назв. - англ.


Індекс рубрикатора НБУВ: З85

Рубрики:
 Електроніка 

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
4.

Hontaruk O. 
Radiative recombination in initial and electron-irradiated GaP crystals / O. Hontaruk, O. Konoreva, P. Litovchenko, V. Manzhara, V. Opilat, M. Pinkovska, V. Tartachnyk // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2010. - 13, № 1. - С. 30-35. - Бібліогр.: 24 назв. - англ.


Індекс рубрикатора НБУВ: В379.227

Рубрики:
 Радіаційні ефекти в напівпровідниках 

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
5.

Konoreva O. 
Influence of complex defects on electrophysical properties of GaP light emitting diodes / O. Konoreva, E. Malyj, S. Mamykin, I. Petrenko, M. Pinkovska, V. Tartachnyk // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2014. - 17, № 2. - С. 184-187. - Бібліогр.: 9 назв. - англ.

In order to estimate the role of complex defects on GaP light emitting diodes (LED) operation, luminescent and electrical characteristics of GaP LEDs irradiated with reactor neutrons have been studied. It has been stated that nonradiative levels of radiation defects affect electroluminescence quenching. From the analysis of the tunnel current, the density of dislocations in the depleted part of the p - n junction was obtained. Neutron induced disorder regions do not change the tunnel component of the direct current of red diodes, increasing the dislocation density, because the carrier flow along the ?tunnel shunts? is blocked.


Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222 + З852.2

Рубрики:
 Дефекти напівпровідників 
 Напівпровідникові діоди 

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 
      
Категорія:    
6.

Konoreva O. 
Peculiarities of optical absorption band-edge in irradiated GaP:Te / O. Konoreva, P. Litovchenko, V. Manzhara, V. Opilat, V. Tartachnyk // Functional Materials. - 2010. - 17, № 1. - С. 80-84. - Бібліогр.: 12 назв. - англ.


Індекс рубрикатора НБУВ: В379.227

Рубрики:
 Радіаційні ефекти в напівпровідниках 

Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
7.

Konoreva O. V. 
Degradation of electrooptical characteristics of serial GaP light-emitting diodes, caused by fast electrons / O. V. Konoreva, M. V. Lytovchenko, Ye. V. Malyi, I. V. Petrenko, M. B. Pinkovska, V. P. Tartachnyk, V. V. Shlapatska // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2015. - 18, № 3. - С. 312-316. - Бібліогр.: 11 назв. - англ.


Індекс рубрикатора НБУВ: З852.3

Рубрики:
 Напівпровідникові тріоди (кристалічні тріоди, транзистори) 

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
8.

Konoreva O. V. 
Acoustic-stimulated relaxation of GaAssub1-x/subPsubx/sub LEDs electroluminescence intensity / O. V. Konoreva, M. V. Lytovchenko, Ye. V. Malyi, Ya. M. Olikh, I. V. Petrenko, M. B. Pinkovska, V. P. Tartachnyk // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2016. - 19, № 1. - С. 34-38. - Бібліогр.: 20 назв. - англ.


Індекс рубрикатора НБУВ: В379.26 + З852.27

Рубрики:
 Механічні властивості монокристалів напівпровідників 
 Світлові діоди 

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
9.

Hontaruk O. M. 
Low doses effect in GaP light-emitting diodes / O. M. Hontaruk, O. V. Konoreva, Ye. V. Malyi, I. V. Petrenko, M. B. Pinkovska, O. I. Radkevych, V. P. Tartachnyk // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2016. - 19, № 2. - С. 183-187. - Бібліогр.: 13 назв. - англ.


Індекс рубрикатора НБУВ: З852.2

Рубрики:
 Напівпровідникові діоди 

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
10.

Zavada M. 
Self-organization in irradiated semiconductor crystals caused by thermal annealing / M. Zavada, O. Konoreva, P. Lytovchenko, V. Opilat, M. Pinkovska, O. Radkevych, V. Tartachnyk // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2018. - 21, № 2. - С. 130-133. - Бібліогр.: 7 назв. - англ.


Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222 + В379.25

Рубрики:
 Дефекти напівпровідників 
 Термодинаміка напівпровідників 

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
11.

Vernydub R. M. 
Electrophysical characteristics of GaAssub1-x/subPsubx/sub LEDs irradiated by 2 MeV electrons / R. M. Vernydub, O. I. Kyrylenko, O. V. Konoreva, Ya. M. Olikh, P. G. Litovchenko, Yu. V. Pavlovskyy, P. Potera, V. P. Tartachnyk // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2020. - 23, № 2. - С. 201-207. - Бібліогр.: 17 назв. - англ.


Індекс рубрикатора НБУВ: В379.27-1

Рубрики:
 Електричні і магнітні властивості напівпровідників 

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія: Технологія металів. Машинобудування. Приладобудування   
12.

Korzhyk V. 
Comparing features in metallurgical interaction when applying different techniques of arc and plasma surfacing of steel wire on titanium = Порівняння особливостей металургійної взаємодії при застосуванні різних способів дугового і плазмового наплавлення сталевого дроту на титан / V. Korzhyk, V. Khaskin, A. Grynyuk, O. Ganushchak, S. Peleshenko, O. Konoreva, O. Demianov, V. Shcheretskiy, N. Fialko // Eastern-Europ. J. of Enterprise Technologies. - 2021. - № 4/12. - С. 6-17. - Бібліогр.: 16 назв. - англ.


Індекс рубрикатора НБУВ: К644.51-1 + К644.57-1

Рубрики:
 Електродугове наплавлення металів 
 Інші види електричного наплавлення металів 

Шифр НБУВ: Ж24320 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія: Технологія металів. Машинобудування. Приладобудування   
13.

Korzhyk V. 
Comparing features in metallurgical interaction when applying different techniques of arc and plasma surfacing of steel wire on titanium = Анализ металлургического взаимодействия при дуговой наплавке барьерных слоев на титан для предотвращения образования интерметаллидов в соединениях "титан - сталь" / V. Korzhyk, V. Khaskin, A. Grynyuk, O. Ganushchak, V. Shcheretskiy, S. Peleshenko, O. Konoreva, O. Demianov, N. Fialko, V. Kvasnytskyi // Eastern-Europ. J. of Enterprise Technologies. - 2021. - № 5/12. - С. 69-82. - Бібліогр.: 17 назв. - англ.


Індекс рубрикатора НБУВ: К644.77

Рубрики:
 Наплавлення у виробництві біметалів 

Шифр НБУВ: Ж24320 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія: Енергетика. Радіоелектроніка   
14.

Vernydub R. M. 
Field effects in electron-irradiated GaP LEDs = Польові ефекти в опромінених електронами світлодіодах GaP / R. M. Vernydub, O. I. Kyrylenko, O. V. Konoreva, Ya. M. Olikh, O. I. Radkevych, D. P. Stratilat, V. P. Tartachnyk // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2022. - 25, № 2. - С. 179-184. - Бібліогр.: 10 назв. - англ.


Індекс рубрикатора НБУВ: З852.27

Рубрики:
 Світлові діоди 

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

 

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського